У моделі ефективних мас і прямокутних потенціалів для електронів та в моделі поляризаційного континууму для обмежених фононів у трибар'єрній резонансно-тунельній наноструктурі одержано гамільтоніан електрон-фононної системи у зображенні чисел заповнення за всіма змінними. За допомогою методу функцій Гріна розраховано перенормований спектр електронів у трибар'єрній резонансно-тунельній наноструктурі на основі GaAs-ям і AlxGa1-xAs-бар'єрів за різних значеннях концентрації (x) Al. Встановлено, що у разі зміни температури від 0 до 300 K, незалежно від концентрації Al, зі зміною геометричної конфігурації трибар'єрної резонансно-тунельної наноструктури ширини обох нижніх (робочих) квазістаціонарних станів збільшуються, а енергії зміщуються у низькоенергетичну область. Ширини і зміщення виявилися сильно нелінійними функціями залежно від положення внутрішнього бар'єра в трибар'єрній резонансно-тунельній наноструктурі.

  Повний текст PDF - 1.029 Mb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"