Наукова періодика України Український фізичний журнал


Клюй М. І. 
Вплив телуру на деградаційну стійкість кристалів напівізолюючого арсеніду галію / М. І. Клюй, А. І. Ліптуга, В. Б. Лозінський, А. П. Оксанич, С. Е. Притчин, Ф. В. Фомовський, В. О. Юхимчук // Український фізичний журнал. - 2014. - Т. 59, № 11. - С. 1094-1098. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2014_59_11_10
Показано, що вихідні, необроблені кристали напівізолюючого GaAs, компенсовані телуром, після ВЧ-обробок деградують суттвєо менше у порівнянні зі зразками, легованими хромом. Даний ефект свідчить про суттєвий вплив типу компенсуючої домішки на деградаційну стійкість матеріалу. Також встановлено, що кристали напівізолюючого GaAs, компенсовані телуром, що пройшли попередню обробку в плазмі водню, мають вищу деградаційну стійкість до впливу тривалих високочастотних і мікрохвильових обробок, у порівнянні з необробленими кристалами.
  Повний текст PDF - 598.565 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Клюй М.
  • Ліптуга А.
  • Лозінський В.
  • Оксанич А.
  • Притчин С.
  • Фомовський Ф.
  • Юхимчук В.

  • Бібліографічний опис для цитування:

    Клюй М. І. Вплив телуру на деградаційну стійкість кристалів напівізолюючого арсеніду галію / М. І. Клюй, А. І. Ліптуга, В. Б. Лозінський, А. П. Оксанич, С. Е. Притчин, Ф. В. Фомовський, В. О. Юхимчук // Український фізичний журнал. - 2014. - Т. 59, № 11. - С. 1094-1098. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2014_59_11_10.

    Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
    (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
  • Клюй Микола Іванович (фізико-математичні науки)
  • Лозінський Володимир Борисович (технічні науки)
  • Притчин Сергій Емільович (технічні науки)
  • Юхимчук Володимир Олександрович (фізико-математичні науки)
  •   Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського