Проанализированы возможности применения технологии плазмохимического осаждения пленок <$Ea- { roman Si} sub 1-x { roman Ge} sub x : roman H> (x = 0 - 1), нелегированных и легированных PH3 и B2H6, для использования их в p-i-n-структурах солнечных элементов. Рассмотрены оптические, электрические, фотоэлектрические свойства, также определено количество водорода, содержащегося в данной пленке. Найдено, что свойства пленки сильно зависят от состава и уровня гидрогенизации. Количество атомов водорода в пленках варьировали путем изменения составов газовой смеси, и измеряли ИК поглощение для пленок a-Si:H и a-Ge:H. Фотопроводимость рассчитывалась по соотношению: <$EJ sub ф ~=~AF sup gamma> при <$Egamma~=~1>. Концентрация водорода в пленках определялась предпочтительным дополнительным параметром - P. В то же время NH определялось с помощью колебательной моды растяжения и моды качения для пленок <$Ea- { roman Si} sub 1-x { roman Ge} sub x : roman H> (x = 0 - 1). На основе пленок a-Si:H и <$Ea- roman {Si sub 0,88 Ge} sub 0,12>:H изготовлены трехслойные солнечные элементы с площадью элемента 1,3 см<^>2 и эффективностью (<$Exi>) 9,5 %.

  Повний текст PDF - 1.129 Mb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"