Екситонні характеристики InxGa1-xAs−GaAs гетероструктур з квантовими ямами при низьких температурах

Литовченко, Н. М.; Корбутяк, Д. В.; Стрільчук, О. М.


	Наукова періодика України		Український фізичний журнал

Литовченко Н. М.
Екситонні характеристики InxGa1-xAs−GaAs гетероструктур з квантовими ямами при низьких температурах / Н. М. Литовченко, Д. В. Корбутяк, О. М. Стрільчук // Український фізичний журнал. - 2013. - Т. 58, № 3. - С. 262-268. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2013_58_3_8

Повний текст PDF - 313.122 Kb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Литовченко Н.

Корбутяк Д.

Стрільчук О.

Бібліографічний опис для цитування:

Литовченко Н. М. Екситонні характеристики InxGa1-xAs−GaAs гетероструктур з квантовими ямами при низьких температурах / Н. М. Литовченко, Д. В. Корбутяк, О. М. Стрільчук // Український фізичний журнал. - 2013. - Т. 58, № 3. - С. 262-268. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2013_58_3_8.

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

Корбутяк Дмитро Васильович (1945–) (фізико-математичні науки)

Стрільчук Оксана Миколаївна (фізико-математичні науки)

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача