Вплив домішки олова на деградацію провідності в n-кремнії при електронному опроміненні

Красько, М. М.

Експериментально досліджено та проаналізовано вплив ізовалентної домішки олова на зміну часу життя нерівноважних носіїв заряду в опроміненому gamma-квантами <^>60Co n-Si, вирощеному за допомогою метод Чохральського (Cz). Виявлено, що поведінка часу життя в gamma-опроміненому n-Si з Sn визначається вихідною концентрацією вільних електронів (n0). Показано, що зі збільшенням концентрації олова константа деградації часу життя (ktau) зменшується у низькоомному та збільшується у високоомному n-Si. Це пояснюється конкуренцією між основними центрами рекомбінації в n-Si з Sn-комплексами VO і SnV. Визначено співвідношення констант реакцій утворення дефектів SnV і VO, a також поперечні перерізи захоплення дірок одно- та двозарядними акцепторними станами SnV.


	Наукова періодика України		Український фізичний журнал