Рекомбінаційні характеристики пластин монокристалічного кремнію з приповерхневим порушеним шаром

Саченко, А. В.; Костильов, В. П.; Литовченко, В. Г.; Попов, В. Г.; Романюк, Б. М.; Черненко, В. В.; Насєка, В. М.; Слусар, Т. В.; Кирилова, С. І.; Комаров, Ф. Ф.

Експериментально та теоретично досліджено спектральні залежності малосигнальної конденсаторної фотоерс Vf(lambda) з ділянкою короткохвильового спаду. Показано, що в короткохвильовій області спектра залежності Vf(lambda) дозволяють одержати з використанням експериментально неруйнівного методу важливу інформацію про зміну рекомбінаційних властивостей поверхні та об'єму фоточутливого кремнієвого матеріалу. Встановлено, зокрема, що створення порушеного приповерхневого шару за рахунок імплантації заліза призводить як до сильного зменшення об'ємної довжини дифузії (тобто часу життя) в імплантованому шарі, так і до зростання ефективної швидкості поверхневої рекомбінації на освітлюваній поверхні.


	Наукова періодика України		Український фізичний журнал