Особливості перенесення заряду в структурах Mo/n-Si з бар’єром Шотки

Оліх, О. Я.

Експериментально досліджено прямі та зворотні вольтамперні характеристики структур Mo/n-Si з бар'єром Шотки в діапазоні температур 130 - 330 K. Виявлено, що у випадку підвищення температури має місце збільшення висоти бар'єра Шотки та зменшення фактора неідеальності. Проаналізовано одержані результати у межах моделі неоднорідного контакта. Визначено середнє значення та стандартне відхилення висоти бар'єра Шотки: 0,872 і 0,099 В за T = 130 - 220 K і 0,656 і 0,036 В за T = 230 - 330 K відповідно. Показано, що за зворотного зміщення основними процесами перенесення заряду є термоелектронна емісія через неоднорідний бар'єр та тунелювання.


	Наукова періодика України		Український фізичний журнал