Проаналізовано умови існування стримінгу та ефекту прольотного резонансу на оптичних фононах у компенсованому об'ємному GaN. За допомогою методу Монте-Карло проведено розрахунки високочастотної диференціальної рухливості. Показано, що за низьких температур гратки 30 - 77 K в електричних полях 3 - 10 кВ/см у терагерцовому діапазоні частот може існувати динамічна від'ємна диференціальна рухливість. Виявлено нові ознаки ефекту стримінгу - анізотропію динамічної диференціальної рухливості й особливу поведінку коефіцієнта дифузії у перпендикулярному до постійного електричного поля напрямку. Побудовано теорію проходження терагерцового випромінювання через структуру з епітаксійним шаром GaN. Одержано умови підсилення електромагнітних хвиль в діапазоні частот 0,5 - 2 ТГц. В електричних полях, більших, ніж 1 кВ/см, спостерігається поляризаційна залежність коефіцієнта проходження випромінювання через структуру.

  Повний текст PDF - 825.62 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"