Проаналізовано зміни у структурі електронних станів шаруватих кристалів, які зумовлені деформацією зсуву шарів, що здійснюється модульованим низькою частотою зовнішнім тиском. Показано, що така деформація призводить до виникнення надструктури, період якої у напрямку, нормальному до площини шарів, є рівним цілому числу товщин шару. Встановлено, що взаємодія електронів з деформаційно збуреним потенціалом призводить до виникнення розривів у дисперсійній залежності енергії від хвильового вектора, які регулярно розміщені по його величині. Показано, що ця взаємодія спричинює перерозподіл електронів по станах у зонах, який реалізується процесами перекидання. Запропоновано рівняння балансу заселеності станів, проаналізовано його динаміку. Проведено оцінку нестаціонарної складової коефіцієнта міжзонного поглинання. Показано, що спектр цієї складової має смугастий характер, а фаза гармоніки модуляційної частоти є зміщеною відносно фази тиску на величину кута, який залежить від енергії кванта світла.

  Повний текст PDF - 233.405 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"