Досліджено поведінку домішки водню під час кристалізації тонких плівок кремнію, легованих оловом (a-SiSn). Встановлено, що у плівках a-SiSn (вміст Sn ~ 1 - 10 ат. %) безпосередньо після осадження (300 градусів за Цельсієм) відсутня смуга ІЧ поглинання на кремній-водневих зв'язках (область ~ 2000 - 2200 см<^>-1). У нелегованому a-Si вміст водню стає меншим за межу чутливості даної методики дослідження лише після відпалу при 700 градусів за Цельсієм. Факт відсутності водню у a-SiSn добре узгоджується з електронно-парамагнітними резонансними дослідженнями та структурними перетвореннями плівок за термообробок, які досліджено за допомогою методу комбінаційного розсіяння світла. Показано, що формування кристалічної фази у a-SiSn відбувається за нижчих температур у порівнянні з a-Si. У цьому випадку спостерігається кореляція між температурою кристалізації Si кластерів і концентрацією домішки олова. Враховуючи те, що олово зменшує температуру ефузії водню з об'єму плівок і, відповідно, стимулює впорядкування структури зразків, можна припустити, що домішка водню бере участь у процесах, що ведуть до зниження температури кристалізації a-SiSn.

  Повний текст PDF - 315.573 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"