Оптоэлектронные свойства тонких пленок гидрогенизированного аморфного кремния-углерода и нанокристаллического кремния

Наджафов, Б. А.; Дадашова, В. В.

Рассмотрены некоторые параметры тонких пленок гидрогенизированного аморфного сплава кремния-углерода (<$Ea- {roman Si} sub 1-x {roman C} sub x : roman H>) (x = 0; 0,5) и нанокристаллического кремния (нк-Si). На основе этих пленок разработаны солнечные элементы с барьерами Шоттки, n-i-p- и двойным n-i-p-гетеропереходом. Элементы двойных гетеропереходов a-SiC/a-Si/нк-Si, в которых p-слой изготавливался из a-SiC:H и использовался в качестве "окна", и n-слой изготавливался из нк-Si. Исследованы вольтамперные характеристики при освещении для каждого типа солнечных элементов. Установлено, что наибольшее значение коэффициента полезного действия солнечных элементов с двойным n-i-p-гетеропереходом в случае освещения с интенсивностью 100 мВт/см<^>2 площади элементов 1 см<^>2 составляет 11,5 %.


	Наукова періодика України		Український фізичний журнал