Експериментально досліджено здатність монокристалів селеніду цинку забезпечити роботу напівпровідникового детектора в режимі прямого перетворення енергії іонізуючого випромінювання на електричний сигнал. Встановлено, що для зразка ZnSe n-типу (<$E E sub d~=~0,26> еВ) з питомим опором <$E rho> ~ <$E 10 sup 9> Ом <$E cdot> см за кімнатної температури спостерігається зменшення провідності під дією рентгенівського опромінення, на відміну від високоомних монокристалів з <$E rho~>>~10 sup 12> Ом <$E cdot> см. Виявлено, що вольтамперна характеристика (ВАХ) таких зразків для темнової провідності є вищою за ВАХ рентгенопровідності, у цьому випадку форми цих кривих помітно відрізняються. Очевидно, що характер рентгенопровідності ZnSe, за якої генеруються вільні носії обох знаків, суттєво відрізняється від характеру темнової провідності, коли в зразку є лише вільні електрони. Відповідно, для струму рентгенопровідності одержано спадаючу люксамперну характеристику. Досі згадок про таку нетипову поведінку зазначених вище фізичних величин і характеристик у науково-технічній літературі не було. Це аномальне явище може бути зумовлене неоднорідною перезарядкою глибоких центрів біля електричних контактів і, відповідно, появою об'ємних зарядів, які зменшують рентгенопровідність монокристалічного ZnSe.