Наукова періодика України Український фізичний журнал

Пагава Т. А. 
Исследование рекомбинационных и электрических свойств кристаллов p-Si, облученных электронами / Т. А. Пагава, Д. З. Хочолава, Н. И. Майсурадзе, Л. С. Чхартишвили // Український фізичний журнал. - 2012. - Т. 57, № 5. - С. 525-530. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2012_57_5_8
Исследованы образцы p-Si, облученные электронами с энергией 8 МэВ. По температурным зависимостям параметров при изохорном отжиге облученных образцов проведена идентификация различных радиационных дефектов. На основании анализа зависимостей времени жизни неосновных носителей тока tau, удельного сопротивления rho, концентрации p и холловской подвижности muH от температуры изохронного отжига Tотж выявлены особенности отжига muH и p. Определено, какие радиационные дефекты являются рекомбинационными центрами. По кривым изохронного отжига, проведенным при различных интервалах времени, определены энергии активации отжига Eотж некоторых радиационных дефектов.
  Повний текст PDF - 644.32 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Пагава Т.
  • Хочолава Д.
  • Майсурадзе Н.
  • Чхартишвили Л.

    • Бібліографічний опис для цитування:

    Пагава Т. А. Исследование рекомбинационных и электрических свойств кристаллов p-Si, облученных электронами / Т. А. Пагава, Д. З. Хочолава, Н. И. Майсурадзе, Л. С. Чхартишвили // Український фізичний журнал. - 2012. - Т. 57, № 5. - С. 525-530. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2012_57_5_8.
      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського