Досліджено фотоелектричні характеристики структур ITO/CdTe, виготовлених за допомогою методу термічного вакуумного випаровування та шляхом осадження у квазізамкненому об'ємі до та після різних обробок. Частина зразків проходила "хлоридну" обробку, інша - відпал на повітрі. Після цього проведено обробку зразків у плазмі водню та нанесення на них тонкої алмазоподібної плівки (АПП). Показано, що проведення "хлоридної" обробки структур ITO/CdTe призводить до збільшення дифузійної довжини носіїв заряду у шарі CdTe. Проведення термовідпалу не впливає на значення дифузійної довжини носіїв заряду у шарі CdTe, але значно підвищує фоточутливість, що свідчить про зменшення на поверхні шару CdTe швидкості поверхневої рекомбінації. Шляхом комбінації термовідпалу, "хлоридної" обробки, плазмової обробки у водні та нанесення тонких АПП одержано збільшення довжини дифузії носіїв заряду у шарі CdTe в усіх досліджуваних структурах ITO/CdTe. На структурах ITO/CdTe, одержаних термічним вакуумним випаровуванням, обробка у плазмі водню призводила до значного збільшення спектральної чутливості в діапазоні довжин хвиль 400 - 800 нм, а на структурах, які пройшли "хлоридну" обробку, значне збільшення спектральної чутливості досягалось після обробки у плазмі водню і нанесення АПП.

  Повний текст PDF - 642.127 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"