За допомогою розрахунків із перших принципів якісно розглянуто адсорбцію молекули O2 на поверхню Si1-xGex/Si(001) та визначено стабільні адсорбційні конфігурації молекулярного кисню. O2 недисоціативно хемадсорбуються на поверхню Si1-xGex/Si(001). У випадку, коли поверхня Si1-xGex/Si(001) представлена чистими Si - Si та змішаними Si - Ge аддимерами, адсорбція молекул O2 проходить без подолання бар'єра. У випадку, коли поверхня представлена чистими Ge - Ge аддимерами, бар'єр для адсорбції не перевищує 0,1 еВ. Адсорбція молекули O2 супроводжується зміною спінового стану системи з триплетного на синглетний та зменшенням хімічної активності поверхні.

  Повний текст PDF - 1.058 Mb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"