Для холестеричних рідкокристалічних систем, що містять фоточутливий нематик ЖК-440 і суміш похідних холестерину, досліджено зміни спірального закручування, викликані УФ-опроміненням. Показано, що УФ-індукований зсув максимуму селективного відбиття <$E lambda sub roman max> залежить від концентрації нематичного компонента. Для малих концентрацій ЖК-440 <$E lambda sub roman max> зростає, що корелює з відповідними температурно-індукованими змінами. Для більших концентрацій азокси-нематика <$E lambda sub roman max> знижується незалежно від температурної поведінки системи. Для пояснення експериментальних даних запропоновано теоретичний опис, який базується на розвитку молекулярних моделей спірального закручування. Одержано добре узгодження між розрахованими та виміряними значеннями УФ-індукованого зсуву залежно від концентрації азокси-нематика, з двома екстремумами та точкою інверсії. Додаткове закручування виникає внаслідок орієнтації в холестеричній мезофазі коротких осей цис-ізомерів, що утворюються в результаті опромінення.Рідкокристалічні суміші естерів холестерину та нематиків на основі азоксибензолів розглянуто як приклади УФ-чутливих систем з фотоактивною нематичною матрицею та нефотоактивних хіральних компонентів (ХК). Вміст ХК варіював у межах 35 - 90 % з одержанням селективного відбивання з максимумом <$E lambda sub max> у видимій області та різним характером його зміни з температурою. За високих концентрацій ХК УФ-індукована зміна <$E lambda sub max> (кроку спіралі) відповідала знаку <$E d lambda sub max "/" dT> вихідної суміші, зі зниженням температури ізотропного переходу внаслідок утворення немезогенних і нехіральних цис-ізомерів. За нижчих концентрацій ХК <$E lambda sub max> зменшувалася в усіх випадках, незалежно від знака <$E d lambda sub max "/" dT>. Запропоновано пояснення такої особливої поведінки спірального закручування на основі уявлень про ефективну хіральність впорядкованих цис-молекул. Зроблені припущення узгоджуються з УФ-індукованими змінами діелектричної проникності. Обговорюються можливості практичного застосування досліджених систем.