Дослідження морфології поверхні (за допомогою атомно-силової мікроскопії та сканувальної електронної мікроскопії), комбінаційного розсіювання світла (КРС) і фотолюмінесценції (ФЛ) проведено з метою охарактеризувати серію матеріалів типу A<^>IIIB<^>V (GaAs, GaP, InP) з пористою поверхнею, одержаною за допомогою методу електрохімічного травлення. Показано, що морфологія поверхні пористих шарів сполук A<^>IIIB<^>V суттєво залежить від різних параметрів процесу анодування, таких як час травлення, щільність струму, склад розчину травника та наявність освітлення під час травлення. Підсилення сигналу в спектрах КРС від пористої поверхні спостерігається майже у всіх досліджених зразках, що пояснюється, головним чином, порушенням правил відбору для відповідних фононних мод і зменшенням відбивання від пористої поверхні. Особливості спектрів ФЛ пористих сполук A<^>IIIB<^>V вивчено в широкому температурному діапазоні. Для пористих поверхонь GaAs і InP спостережено незначний квантово-розмірний ефект.

  Повний текст PDF - 711.181 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"