Наукова періодика України | Український фізичний журнал | ||
Лисенко В. С. Морфологія та оптичні властивості нанокластерів Ge на окисленій поверхні Si(001) / В. С. Лисенко, С. В. Кондратенко, Ю. М. Козирев, М. Ю. Рубежанська, В. П. Кладько, Ю. В. Гоменюк, О. Й. Гудименко, Є. Є. Мельничук, Ж. Грене, Н. Б. Бланшар // Український фізичний журнал. - 2012. - Т. 57, № 11. - С. 1132-1140. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2012_57_11_7 Розглянуто нанокластери Ge, вирощені за допомогою методу молекулярно-променевої епітаксії на хімічно окисненій поверхні Si(001) за температури 700 градусів за Цельсієм. За дифракцією рентгенівських променів і спектроскопією фотопровідності вперше виявлено, що нанокластери мають кристалічну структуру з об'ємоцентрованою тетрагональною граткою, яка має край власного поглинання поблизу 0,48 еВ за 50 K. Нанесення Si на поверхню з нанокластерами Ge призводить до реконструкції поверхні та формування полікристалічного покриття з кубічною граткою, а об'єм нанокластерів стає твердим розчином SiGe із тетрагональною граткою. Край власного поглинання завдяки перемішуванню Si - Ge зазнав зсуву до 0,73 еВ. Обгрунтовано можливий механізм росту нанокластерів. Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Лисенко В. С. Морфологія та оптичні властивості нанокластерів Ge на окисленій поверхні Si(001) / В. С. Лисенко, С. В. Кондратенко, Ю. М. Козирев, М. Ю. Рубежанська, В. П. Кладько, Ю. В. Гоменюк, О. Й. Гудименко, Є. Є. Мельничук, Ж. Грене, Н. Б. Бланшар // Український фізичний журнал. - 2012. - Т. 57, № 11. - С. 1132-1140. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2012_57_11_7.Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |