Електричні і оптичні властивості монокристалів AgGaGe2S2Se4

Мирончук, Г. Л.; Давидюк, Г. Є.; Парасюк, О. В.; Шевчук, М. В.; Якимчук, О. В.; Данильчук, С. П.

Досліджено монокристали твердих розчинів 50 мол. % AgGaGeS4 + 50 мол. % AgGaGe3Se8. Внаслідок статистичного розміщення у вузлах кристалічної гратки атомів Ga і Ge, а також наявності вузлів, не заповнених атомами Ag, тверді розчини проявляють властивості невпорядкованих напівпровідників з максимальною щільністю локалізованих енергетичних станів біля середини забороненої зони. Встановлено оптичну та термічну ширину забороненої зони та їх температурну залежність. Монокристали розчину AgGaGe2Se4 виявилися фоточутливими напівпровідниками p-типу провідності з положенням рівня Фермі біля середини забороненої зони. Досліджено особливості електропровідності та спектрального розподілу фотопровідності зразків розчину. Запропоновано несуперечливу фізичну модель, яка дозволяє пояснити експериментально одержані результати.


	Наукова періодика України		Український фізичний журнал