У моделі ефективних мас для електрона та діелектричного континууму для фононів розвинено теорію електрон-фононної взаємодії у складній циліндричній напівпровідниковій нанотрубці. Одержано аналітичні вирази для гамільтоніанів взаємодії електрона з обмеженими та інтерфейсними фононами у зображенні вторинного квантування за електронними та фононними змінними. Досліджено залежності фононних енергій і потенціалу поля поляризації інтерфейсних фононів від аксіального квазіімпульсу та геометричних параметрів складної нанотрубки на основі напівпровідників GaAs і Al0,4Ga0,6As.

  Повний текст PDF - 721.847 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"