Одержано наночастки та плівкові матеріали на основі твердих розчинів BaTi1-xZrxO3 (BZT) з використанням золь-гель технології. Досліджено процеси, що відбуваються у процесі формування золь-гель розчинів; запропоновано моделі будови координаційних полімерів, які при цьому утворюються. Показано, що тверді розчини BZT як в порошковому, так і в плівковому вигляді утворюються в одну стадію за відносно низьких температур. Плівки BZT (<$E 0,3~symbol У~x~symbol У~0,5>) у НВЧ-діапазоні (14 ГГц) продемонстрували діелектричну проникність у межах <$E epsilon~=~200~-~500> і діелектричні втрати <$E tg delta> ~ <$E 10 sup -1>.Встановлено, що формування перовськітних кристалічних фаз Ва_1-хSr_xTiО₃, BaTi_1-xZr_xO₃ та AgNb_1-xTa_xO₃ методом твердофазного синтезу є багатостадійним процесом і вимагає високих температур. Вперше за рахунок уведення легкоплавких домішок Zn₂TiО₄ або ZnB₂О₄ одержано однофазну кераміку AgNb_1-хTa_xО₃ в повітряній атмосфері. З використанням золь-гель методів одержано наночастинки, тонкі та товсті плівки на основі твердих розчинів Ва_1-хSr_xTiО₃, BaTi_1-xZr_xO₃ та AgNb_1-xTa_xO₃. Досліджено вплив умов одержання на мікроструктуру плівкових матеріалів на основі твердих розчинів Ва_1-хSr_xTiО₃ та BaTi_1-xZr_xO₃. Досліджено також електрофізичні характеристики керамічних матеріалів на основі твердих розчинів Ва_1-хSr_xTiО₃, BaTi_1-xZr_xO₃ та AgNb_1-xTa_xO₃. Встановлено, що введення магнієвмісних домішок (MgO, Mg₂TiО₄) в кераміку на основі Ва_1-хSr_xTiО₃ (x = 0.4) та збільшення вмісту цирконію в керамічних матеріалах на основі BaTi_1-xZr_xO₃ (x = 0.2 - 0.5) призводить до зсуву точки Кюрі в сторону низьких температур і до зниження діелектричних втрат. Виявлено високий рівень термостабільності електрофізичних параметрів керамічних матеріалів на основі твердих розчинів AgNb_1-xTa_xO₃ (x = 0.4 - 0.6) в широкому частотному діапазоні. Показано, що тонкі плівки Ва_1-хSr_xTiО₃ з 1 мас % MgO (x = 0.2 - 0.6) та BaTi_1-xZr_xO₃ (x = 0.2 - 0.5) в НВЧ діапазоні характеризуються діелектричною проникністю ε ~ 200 - 520, значеннями діелектричних втрат tg δ ~ 10^-3 і коефіцієнтом нелінійності η_R ~ 3 - 10 %. Тонкі плівки AgNb_1-xTa_xO₃ (x = 0.5) мають діелектричну проникність ε ~ 350 - 400 і діелектричні втрати tg δ ~ 10^-3. Товсті плівки на основі вказаних твердих розчинів мають діелектричну проникність ε ~ 20 - 40 і діелектричні втрати tg δ ~ 10^-3 - 10^-2.

  Повний текст PDF - 268.53 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"