Вперше, використовуючи метод термодинамічних потенціалів та кристалохімічний формалізм, визначено константи рівноваги квазіхімічних реакцій дефектоутворення та величину диспропорціонування зарядових станів катіонних вакансій та міжвузлового плюмбуму в кристалах плюмбум телуриду за їх двотемпературного відпалу. Розраховано залежності концентрації домінуючих точкових дефектів та холлівської концентрації носіїв струму від технологічних факторів, встановлено умови реалізації термодинамічного n - p-переходу.За допомогою методів термодинаміки та кристалохімії досліджено дефектну підсистему кристалів германій телуриду. Визначено концентрації точкових дефектів і вільних носіїв заряду залежно від температури та тиску пари халькогену за умов двотемпературного відпалу. Розраховано енергії утворення моновакансій та антиструктурних атомів. Встановлено, що у високотемпературній модифікації beta-GeTe домінуючими дефектами є двократно іонізовані вакансії германію <$E roman V sub Ge sup 2->.