Наукова періодика України | Електроніка та інформаційні технології | ||
Флюнт О. Особливості температурної залежності діелектричної проникності високоомних кристалів GаSe у рамках моделі розподілу ефективних диполів за часами релаксації / О. Флюнт // Електроніка та інформаційні технології. - 2011. - Вип. 1. - С. 142-148. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Telt_2011_1_18 Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Флюнт О. Особливості температурної залежності діелектричної проникності високоомних кристалів GаSe у рамках моделі розподілу ефективних диполів за часами релаксації / О. Флюнт // Електроніка та інформаційні технології. - 2011. - Вип. 1. - С. 142-148. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Telt_2011_1_18. Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |