Наукова періодика України Технологія та конструювання в електронній апаратурі


Баранов В. В. 
Статистический анализ и оптимизация параметров технологии изготовления биполярного транзистора с изолированным затвором / В. В. Баранов, А. М. Боровик, И. Ю. Ловшенко, В. Р. Стемпицкий, Т. Ч. Чан, И. Шелибак // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 2015. - № 1. - С. 38-43. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/TKEA_2015_1_7
Реализована процедура оптимизации порогового напряжения биполярного транзистора с изолированным затвором. С использованием отсеивающего эксперимента, проведенного согласно плану Плаккета - Бермана, выявлены наиболее значимые входные параметры. Проведены экспериментальные исследования с использованием метода поверхности откликов для определения разброса значений выходной характеристики посредством анализа в цикле Монте-Карло, а также расчета допустимых отклонений входных параметров, в наибольшей степени влияющих на пороговое напряжение.Реалізовано процедуру оптимізації граничної напруги біполярного транзистора з ізольованим затвором. За допомогою відсіювального експерименту, проведеного за планом Плакетта - Бермана, виявлено вхідні параметри, які найбільш суттєво впливають на вихідну величину (граничну напругу). Проведено експериментальні дослідження з використанням методу поверхні відгуків для визначення розкиду вихідних характеристик за допомогою аналізу в циклі Монте-Карло, а також розрахунку допустимих відхилень вхідних параметрів, що впливають на порогову напругу в найбільшій мірі.The use of computer simulation, design and optimization of power electronic devices formation technological processes can significantly reduce development time, improve the accuracy of calculations, choose the best options for implementation based on strict mathematical analysis. One of the most common power electronic devices is isolated gate bipolar transistor (IGBT), which combines the advantages of MOSFET and bipolar transistor. The achievement of high requirements for these devices is only possible by optimizing device design and manufacturing process parameters. Therefore important and necessary step in the modern cycle of IC design and manufacturing is to carry out the statistical analysis. Procedure of the IGBT threshold voltage optimizationwas realized. Through screening experiments according to the Plackett-Burman design the most important input parameters (factors) that have the greatest impact on the output characteristic was detected. The coefficients of the approximation polynomial adequately describing the relationship between the input parameters and investigated output characteristics ware determined. Using the calculated approximation polynomial, a series of multiple, in a cycle of Monte Carlo, calculations to determine the spread of threshold voltage values at selected ranges of input parameters deviation were carried out. Combinations of input process parameters values were determined randomly by a normal distribution within a given range of changes. The procedure of IGBT process parameters optimization consist a mathematical problem of determining the value range of the input significant structural and technological parameters providing the change of the IGBT threshold voltage in a given interval. The presented results demonstrate the effectiveness of the proposed optimization techniques.
  Повний текст PDF - 685.336 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Баранов В.
  • Боровик А.
  • Ловшенко И.
  • Стемпицкий В.
  • Чан Т.
  • Шелибак И.

  • Бібліографічний опис для цитування:

    Баранов В. В. Статистический анализ и оптимизация параметров технологии изготовления биполярного транзистора с изолированным затвором / В. В. Баранов, А. М. Боровик, И. Ю. Ловшенко, В. Р. Стемпицкий, Т. Ч. Чан, И. Шелибак // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 2015. - № 1. - С. 38-43. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/TKEA_2015_1_7.

    Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
    (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
  • Баранов В'ячеслав Валерійович (технічні науки)
  •   Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського