При облучении полупроводниковых кристаллов мощными (сильноточными) импульсными электронными пучками высоких энергий получен новый вид отжига, названный авторами «ионизационным», дано его теоретическое обоснование.Під час опромінення напівпровідникових кристалів потужними (сильнострумовими) імпульсними електронними пучками високих енергій одержано новий вид відпалу, названий авторами «іонізаційним», надано його теоретичне обгрунтування.During irradiation of semiconductor crystals with powerful (high current) pulsed high-energy electron beams, a new type of annealing has been obtained. We could obtain new results and to find out physical nature of this phenomenon due to short and powerful bunches of electrons with high energy. Given its theoretical justification, the new annealing type has been called the "ionization annealing".При облучении полупроводниковых кристаллов мощными (сильноточными) импульсными электронными пучками высоких энергий обнаружен новый вид отжига, названный авторами ионизационным. Описаны экспериментальные исследования, подтверждающие сделанное ранее теоретическое обоснование.При опроміненні напівпровідникових кристалів потужними (сильнострумовими) імпульсними електронними пучками високих енергій виявлено новий вид відпалу, названий авторами іонізаційним. Наведено результати експериментальних досліджень, які підтверджують зроблене раніше теоретичне обгрунтування.There is a conception that irradiation of semiconductor crystals with high energy electrons (300 keV) results in a significant and irreversible deterioration of their electrical, optical and structural properties. Semiconductors are typically irradiated by low voltage electron accelerators with a continuous flow, the current density in such accelerators is 10{\up\fs8 –5} - 10{\up\fs8 –6} A/cm{\up\fs8 2}, the energy - 0,3 - 1 MeV. All changes in the properties after such irradiation are resistant at room temperature, and marked properties recovery to baseline values is observed only after prolonged heating of the crystals to a high temperature. In contrast, the authors in their studies observe an improvement of the structural properties of semiconductor crystals (annealing of defects) under irradiation with powerful (high current) pulsed electron beams of high energy (E{\dn\fs8 0} = 0,3{\up\fs8 -1} MeV, t = 0,1 - 10 ns, Ω = 1 - 10 Hz, j = 20 - 300 A/cm{\up\fs8 2}). In their previous paper, the authors presented theoretical basis of this effect. This article describes an experimental study on the influence of high-current pulsed electron beams on the optical homogeneity of semiconductor GaAs and CdS crystals, confirming the theory put forward earlier.

  Повний текст PDF - 370.3 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"