Наукова періодика України Технологія та конструювання в електронній апаратурі


Лаврич Ю. Н. 
Двухканальный переключатель СВЧ-мощности на основе электрически активных полупроводниковых структур / Ю. Н. Лаврич, С. В. Плаксин, В. Я. Крысь, Л. М. Погорелая, И. И. Соколовский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 2014. - № 2-3. - С. 24-27. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/TKEA_2014_2-3_5
Разработан быстродействующий двухканальный переключатель СВЧ-мощности в трехсантиметровом диапазоне длин волн с использованием двух объемных полупроводниковых структур с отрицательной дифференциальной проводимостью, обладающих вольтамперными характеристиками N- и S-образной формы. Эти структуры реализуют соответственно функции амплитудного модулятора мощности на диоде Ганна и коммутатора на диоде из халькогенидного стеклообразного полупроводника.Розроблено двохканальний комутатор НВЧ-потужності в 3-см діапазоні довжини хвиль з використанн ям двох об'ємних напівпровідникових структур, які мають негативну диференціальну провідність, з вольтамперними характеристиками N- та S-подібними формами. Ці структури реалізують функції амплітудного модулятора потужності на діоді Ганна та комутатора на діоді з халькогенідного склоподібного напівпровідника.When constructing the fast-acting two-channel microwave switch, it is difficult to use p–i–n-diodes due to inertia of processes in such structures at change of control voltage polarity for providing of deep modulation. Under the practical realization of the microwave switches on p-i-n-diodes, the requirements to the operating speed of the output signal and to the frequency range are in conflict with each other. The optimum decision may be to use the bulk (without p-n-junctions) two-electrode semiconductor structures based on the effect of intervalley transfer of electrons (TEDs) and chalcogenide-glass-semiconductors (CGS-diodes) with high operating speed and stability at considerable power levels in the wide frequency band. The paper presents the construction of the two-channel microwave switch in the three-centimeter range of wave lengths based on bulk semiconductor structures having negative differential conductivity (NDC) of N- and S-type, and realizing the functions of peak power modulator on aTED-diode and the switch on a CGS-diode respectively.
  Повний текст PDF - 304.279 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Лаврич Ю.
  • Плаксин С.
  • Крысь В.
  • Погорелая Л.
  • Соколовский И.

  • Бібліографічний опис для цитування:

    Лаврич Ю. Н. Двухканальный переключатель СВЧ-мощности на основе электрически активных полупроводниковых структур / Ю. Н. Лаврич, С. В. Плаксин, В. Я. Крысь, Л. М. Погорелая, И. И. Соколовский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 2014. - № 2-3. - С. 24-27. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/TKEA_2014_2-3_5.

      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського