Разработан способ формирования качественных гетерограниц в системе p{\up\fs8 +}-AlGaAs/n-GaAs методом МОСVD в условиях непрерывного роста при изменении температуры кристаллизации от 600 до 760°С. Установлено, что режим формирования слоя твердого раствора p{\up\fs8 +}-AlGaAs:Zn на поверхности слоя n-GaAs:Si при повышении температуры в указанном интервале со скоростью 8-10°С/мин позволяет получить резкую границу раздела между слоями р- и n-типа проводимости. Такой способ формирования резких гетерограниц в системах р-GaAs:Zn/n-GaAs:Si может мыть использован для изготовления широкой номенклатуры эпитаксиальных структур.Розроблено спосіб формування якісних гетеромеж в системі p{\up\fs8 +}-AlGaAs/n-GaAs методом МОСVD за умов безперервного вирощування при зростанні температури кристалізації від 600 до 760°С. Встановлено, що режим формування шару твердого розчину p{\up\fs8 +}-AlGaAs:Zn наповерхні шару n-GaAs:Si за умови підвищення температури в зазначеному інтервалі зі швидкістю 8-10°С/хв дозволяє отримати різку межу розділу між шарами р- та n-типу провідності. Такий спосіб формування різких гетеромеж в системах р-GaAs:Zn/n-GaAs:Si може бути використаний для виготовлення широкої номенклатури епітаксійних структур.The complexity of forming sharp and high-quality boundaries in p+AlGaAs/n-GaAs systems by MOCVD method is caused by differing on 80-120°N optimal crystallization temperature of GaAs layers and n-AlGaAs solid solutions. A method of forming qualitative hetero boundaries under conditions of continuous growth at changing crystallization temperature from 600-700°C has been developed. It has been determined that the crystallization of p+-AlGaAs:Zn solid solution layer on the surface of n-GaAs:Si layer, with increasing the crystallization temperature in the temperature range of 600-760°C at a rate 8-10 °C/min allows to crystallize sharp impurity boundary between the layers of p- and n-type conductivity. The method of forming sharp hetero boundaries in p-GaAs:Zn/n-GaAs:Si systems can be used for manufacturing wide range of epitaxial structures.

  Повний текст PDF - 554.612 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"