В результате исследования магнитных, кинетических и оптических свойств кристаллов (3HgTe)_1–x(Al₂Te₃)_x: (x = 0,5) установлено, что в них имеют место прямые межзонные оптические переходы. Температурная зависимость электропроводности образцов имеет полупроводниковый характер, а температурная зависимость коэффициента Холла свидетельствует о смешанном типе проводимости. Особенности магнитных свойств обусловлены наличием в кристаллах кластеров типа Mn-Тe-Mn-Тe, в которых между атомами Mn через атомы халькогена осуществляется косвенное обменное взаимодействие антиферромагнитного характера. На основе проведенных исследований определены зонные параметры и построена схема зонной структуры кристаллов с концентрацией атомов марганца около 1020 см^-3.В результаті досліджень магнітних, кінетичних і оптичних властивостей кристалів (3HgTe)_1–x(Al₂Te₃)_x: (x = 0,5) встановлено, що в них мають місце прямі міжзонні оптичні переходи. Температурна залежність електропровідності зразків має напівпровідниковий характер, а температурна залежність коефіцієнта Холла свідчить про змішаний тип провідності. Особливості магнітних властивостей обумовлені наявністю в кристалах кластерів типу Mn-Тe-Mn-Тe, в яких між атомами Mn через атоми халькогена здійснюється опосередкована обмінна взаємодія антиферомагнітного характеру. Визначено зонні параметри і побудовано схему зонної структури для кристалів з концентрацією атомів марганцю приблизно 1020 см^-3.This paper presents the results of the analysis of magnetic, optical, kinetic properties and band parameters of (3HgTe)1–x(Al2Te3)x crystals doped by manganese. The behavior of the magnetic susceptibility of the (3HgTe)1–x(Al2Te3)x: crystals can be explained by the presence of Mn-Oe-Mn-Oe clusters or, more precisely, by their transition from a magnetically ordered to a paramagnetic state at Curie temperature ON. The temperature dependences of electrical conductivity are typical for semiconductor materials. This is due to the increase in carrier concentration with the increase of temperature. The temperature dependence of the Hall coefficient indicates that electrons and holes participate in the transport phenomena in the studied samples (the conductivity is mixed). In (3HgTe)1–x(Al2Te3)x: crystals, the electron mobility decreases with increasing temperature, indicating the predominance of the scattering of the charge carriers on thermal vibrations of the crystal lattice. Thermoelectric power for the samples under investigation possesses negative values and increases in absolute value with the rise of temperature. The optical band gap of the samples was defined from the optical studies. We have measured current-voltage characteristics of n-O?I2/(3HgTe)1–x(Al2Te3)x: and n-TiN/(3HgTe)1–x(Al2Te3)x: heterojunctions at room temperature. The band gap, the matrix element of the interband interaction and the electron effective mass at the bottom of the conduction band were determined from the concentration dependence of the electrons effective mass at the Fermi level.

  Повний текст PDF - 463.079 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"