Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p—i—n-структур методом ЖФЭ

Вакив, Н. М.; Круковский, С. И.; Тимчишин, В. Р.; Васькив, А. П.


	Наукова періодика України		Технологія та конструювання в електронній апаратурі

Вакив Н. М.
Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p—i—n-структур методом ЖФЭ / Н. М. Вакив, С. И. Круковский, В. Р. Тимчишин, А. П. Васькив // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 2013. - № 6. - С. 41-45. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/TKEA_2013_6_8

Повний текст PDF - 568.873 Kb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Бібліографічний опис для цитування:

Вакив Н. М. Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p—i—n-структур методом ЖФЭ / Н. М. Вакив, С. И. Круковский, В. Р. Тимчишин, А. П. Васькив // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 2013. - № 6. - С. 41-45. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/TKEA_2013_6_8.

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача