Ромака В. А. Особливості структурних, енергетичних та кінетичних характеристик термоелектричного матеріалу TiNiSn1-xGax / В. А. Ромака, П.-Ф. Рогль, Л. П. Ромака, В. Я. Крайовський, Ю. В. Стадник, Д. Качаровський, А. М. Горинь // Термоелектрика. - 2016. - № 3. - С. 24-33. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/TE_2016_3_5
Досліджено особливості кристалічної та електронної структур, кінетичні та енергетичні характеристики напівпровідникового твердого розчину HfNi1-xRuxSn у діапазонах: <$E T~=~80~symbol Ш~400> K, <$E roman {N sub A sup Ru}~symbol Ы~9,5~cdot~10 sup 19> см<^>-3 <$E (x~=~0,005)~symbol Ш~5,7~cdot~10 sup 20> см<^>-3 (x = 0,03). Встановлено природу механізму одночасного генерування структурних дефектів донорної та акцепторної природи, що призводить до зміни ширини забороненої зони, ступеня компенсації напівпровідника та визначає його властивості.Досліджено кристалічну та електронну структури, температурні і концентраційні залежності питомого електроопору та коефіцієнта термоерс термоелектричного матеріалу VFe1-xTixSb у діапазонах: T = 4,2 - 400 K і <$E N sub A sup Ti ~symbol Ы~9,5~cdot~10 sup 19> см<^>-3 (х = 0,005) - <$E 3,9~cdot~10 sup 21> см<^>-3 (х = 0,15). Виявлено механізми одночасного генерування у кристалі структурних дефектів акцепторної та донорної природи, які змінюють ступінь компенсації напівпровідникового матеріалу і визначають механізми електропровідності.Досліджено особливості структурних, енергетичних, термодинамічних і кінетичних характеристик твердого розчину Hf1-xErxNiSn у діапазоні: T = 80 - 400 K, х = 0 - 0,10. Підтверджено невпорядкованість кристалічної структури сполуки HfNiSn як результат зайняття атомами Ni (3d<^>84s<^>2) до ~ 1 % кристалографічної позиції 4a атомів Hf (5d<^>26s<^>2), що генерує у кристалі структурні дефекти донорної природи. Показано, що введення атомів Er упорядковує кристалічну структуру ("заліковує" структурні дефекти). Виявлено механізми одночасного генерування структурних дефектів як акцепторної природи у випадку заміщення атомів Hf (5d<^>26s<^>2) атомами Er (4f<^>125d<^>06s<^>2), так і донорної як результат появи вакансій у позиції атомів Sn (4b), які визначають механізми електропровідності Hf1-xErxNiSn.Досліджено кристалічну й електронну структури, температурні та концентраційні залежності питомого опору та коефіцієнта термоерс TiNiSn1-xGax у діапазоні: T = 80 - 400 К, x = 0,02 - 0,15. Показано, що легування n-TiNiSn домішкою Ca приводить до генерування у кристалі як структурних дефектів акцепторної природи у разі зайняття атомами Ca позиції 4b атомів Sn, так і донорної природи у вигляді вакансій у позиції атомів Sn. Встановлено механізми електропровідності термоелектричного матеріалу TiNiSn1-xGax. Цитованість авторів публікації:Ромака В.Рогль П.
Ромака Л.
Крайовський В.
Стадник Ю.
Качаровський Д.
Горинь А.
Бібліографічний опис для цитування: Ромака В. А. Особливості структурних, енергетичних та кінетичних характеристик термоелектричного матеріалу TiNiSn1-xGax / В. А. Ромака, П.-Ф. Рогль, Л. П. Ромака, В. Я. Крайовський, Ю. В. Стадник, Д. Качаровський, А. М. Горинь // Термоелектрика. - 2016. - № 3. - С. 24-33. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/TE_2016_3_5. Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)Ромака Володимир Афанасійович (1955–) (технічні науки)Ромака Любов Петрівна (технічні науки)Крайовський Володимир Ярославович (технічні науки)
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|