Розраховано фононну теплопровідність і електропровідність мініатюрної термоелектричної структури "метал - термоелектричний матеріал - метал". Враховано вплив товщини шару термоелектричного матеріалу (ТЕМ), що перебуває між шарами металу. Розрахунки теплопровідності виконано у 2-х наближеннях: постійної довжини вільного пробігу фононів і з урахуванням частотної залежності часу релаксації фононів при їх розсіюванні один на одному за рахунок ангармонізму теплових коливань гратки. В останньому випадку розглядалися як процеси перекидання, так і нормальні процеси, здатні модифікувати розсіювання електронів на межах шару. Електропровідність розглядалася з урахуванням залежності довжини вільного пробігу носіїв заряду від енергії. Еіа прикладі тонких шарів Bi2Te2,7Se0,3 показано, що зі зменшенням їх товщини до 50 мкм граткова теплопровідність зменшується не більше, ніж на 1,5 %, а електропровідність - не більше, ніж на 1 % у порівнянні з монокристалом. Внаслідок цього очікуваний ріст термоелектричної добротності з переходом від монокристала до шару товщиною 50 мкм не перевищує 0,5 %.

  Повний текст PDF - 382.809 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"