Одержано залежності термоелектричних вчастивостей (коефіцієнта Зеєбека S, електропровідності <$E sigma>, коефіцієнта Холла RH, рухливості носіїв заряду <$E mu> і термоелектричної потужності P = <$E S sup 2 ~cdot~ sigma>) від товщини d (d = 10 - 255 нм) тонких плівок, одержаних методом термічного випаровування в вакуумі кристалів PbTe, легованих індієм, і наступною конденсацією на підкладки (111)BaF2. Зі зменшенням товщини плівок до <$E d~symbol Ы~40> нм спостерігається інверсія типу провідності з n- на p-, що пов'язується зі зміною умов термодинамічної рівноваги і частковим ревипаровуванням атомів свинцю і/або індію. На товщинних залежностях властивостей за d1 ~ 20 нм знайдено екстремуми, наявність котрих вказує на квантування діркового газу. В області товщин з n-типом провідності спостерігається плавна зміна термоелектричних властивостей з товщиною, що свідчить про прояв класичного розмірного ефекту і досить добре описується в рамках теорії Фукса - Зондхеймера.

  Повний текст PDF - 371.363 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"