У діапазоні <$E 10 sup 12 ~symbol Г~ n sub e ~symbol Г~2~cdot~10 sup 15~ roman см sup -3> за T = 83 К досліджено концентраційні залежності параметрів анізотропії рухливості <$E K~=~ mu sub {symbol <94>} "/" mu sub ||> анізотропії термоерс захоплення електронів фононами <$E M ~=~ alpha sub || sup ф "/" alpha sub {symbol <94>} sup ф> у монокристалах n-Ge та виявлено суттєві відмінності цих залежностей від спостережуваних (за аналогічних умов) у монокристалах n-Si. Встановлено, що монокристали n-Ge характеризуються значно вищими (за абсолютною величиною) значеннями параметрів анізотропії М і К порівняно з відповідними значеннями цих параметрів для n-Si. Показано, що параметр М в n-Ge (на відміну від n-Si) є малочутливим до наявності домішок у кристалах, однак параметр К монотонно знижується як в n-Ge, так і в n-Si зі зростанням концентрації носіїв заряду <$E n sub e>.

  Повний текст PDF - 818.278 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"