Досліджено кристалічну та електронну структури, температурні і концентраційні залежності магнітної сприйнятливості, питомого електроопору та коефіцієнта термоерс термоелектричного матеріалу Zr1-xCexNiSn у діапазонах: Т = 80 - 400 K, х = 0,01 - 0,10. Вперше одержано збільшення значень коефіцієнта термоелектричної потужності Z * (х) при легуванні n-ZrNiSn атомами рідкісноземельного металу Ce у результаті реалізації валентного стану Ce<^>4+, що генерує у кристалі структурні дефекти донорної природи, а твердий розчин Zr1-xCexNiSn є перспективним термоелектричним матеріалом.

  Повний текст PDF - 509.039 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"