Досліджено кристалічну й електронну структури, температурні та концентраційні залежності питомого електроопору, коефіцієнта термоерс та магнітної сприйнятливості термоелектричного матеріалу Hf1-xLuxNiSn у діапазоні: T = 80 - 40 К, <$Eroman {N sub A sup Lu }~symbol Ы~1,9~cdot~10 sup 20 ~roman см sup -3> (x = 0,001) - <$E1,9~symbol Ы~10 sup 21 ~roman см sup -3> (x = 0,10) <$EH~symbol Г~1>. Виявлено механізми одночасного генерування у кристалі структурних дефектів акцепторної та донорної природи, які змінюють ступінь компенсації напівпровідникового матеріалу і визначають механізми електропровідності, прогнозовані розрахунками електронної структури Hf1-xLuxNiSn.

  Повний текст PDF - 770.786 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"