Одержано матеріали з масивами наноострівців, гофрованими й східчастими структурами - нанонитками різних розмірів і густин розподілу. Описано механізм утворення перелічених вище наноструктур, пов'язаний з міграцією, коалесценцією й кластеруванням наноострівців у міжшаровому просторі нерозчиненої в шарах домішки й надстехіометричного надлишку, а також пов'язаний із впливом пластичної деформації за тиску теплової хвилі, що утворює гофровані структури. Виявлено одновимірні канали протікання заряду, визначено перколяційний характер транспорту носіїв заряду в сітці відповідної густини розподілу квантових точок. Досягнуто збільшення термоелектричних характеристик наноструктурованих кристалів.

  Повний текст PDF - 7.086 Mb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"