Наукова періодика України Термоелектрика


Горський П. В. 
Вплив зарядового впорядкування на термоЕРС шаруватих кристалів у квантуючому магнітному полі / П. В. Горський // Термоелектрика. - 2012. - № 4. - С. 14-24. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/TE_2012_4_4
Розглянуто вплив міжшарового зарядового впорядкування на термоерс шаруватих кристалів у квантуючому магнітному полі за гелієвих температур для випадку, коли градієнт температури та квантуюче магнітне поле паралельні одне до одного і перпендикулярні до шарів. Розрахунки виконано на основі кінетичного рівняння Больцмана в наближенні сталого часу релаксації. Показано, що у квазікласичній області магнітних полів зарядове впорядкування призводить до багатократної інверсії знака, появи нових частот осциляцій термоерс та зростання їх амплітуди за вибраних параметрів задачі в 5,9 - 13,5 разу в порівнянні з невпорядкованим станом, що зумовлено зміною топології поверхні Фермі (ПФ) кристала за фазового переходу, пов'язаному із зарядовим впорядкуванням, із замкненої чи перехідної у відкриту. У сильних магнітних полях зарядове впорядкування призводить до багатократного перемикання полярності термоерс зі зміною магнітного поля. За вибраних параметрів задачі максимум величини термоерс зростає в 7,6 - 18,4 разу у порівнянні з невпорядкованим станом. Однак в ультраквантовій межі величина термоерс різко знижується за законом <$E alpha~inf~T sup -1 B sup -2>, що обумовлено стисканням ПФ кристала внаслідок конденсації носіїв заряду на дні єдиної заповненої підзони Ландау з номером n = 0.
  Повний текст PDF - 586.4 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Горський П.

  • Бібліографічний опис для цитування:

    Горський П. В. Вплив зарядового впорядкування на термоЕРС шаруватих кристалів у квантуючому магнітному полі / П. В. Горський // Термоелектрика. - 2012. - № 4. - С. 14-24. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/TE_2012_4_4.

      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського