Досліджено кристалічну та електронну структури, енергетичні та електрокінетичні характеристики термоелектричного матеріалу <$E {roman HfNi} sub 1-x {roman Co} sub x roman Sn> у діапазонах <$E T~=~80~symbol Ш~1620> K та <$E N sub A sup Co~symbol Ы~9,5~cdot~10 sup 20~roman см sup -3> <$E (x~=~0,05)~symbol Ш~7,6~cdot~10 sup 21~roman см sup -3> (x = 0,40). Встановлено, що у процесі легування n-HfNiSn атомами Co змінюється тип основних носіїв струму та механізм електропровідності через зміну ступеня компенсації напівпровідника, викликаного одночасним генерування у кристалі як структурних дефектів акцепторної природи із заміщенням атомів Ni атомами Co, так і донорної, за часткового зайняття атомами Sn позиції атомів Ni.