Наукова періодика України | Прикарпатський вісник Наукового товариства ім. Шевченка | ||
Новосядлий С. П. Фізико-технологічні аспекти моделювання низькотемпературної епітаксії шаруватих структур кремнію та галію арсеніду / С. П. Новосядлий, А. І. Терлецький, О. Б. Фрик // Прикарпатський вісник НТШ. Число. - 2018. - № 1. - С. 63-79. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Pvntsh_ch_2018_1_10 Розглянуто питання технології вирощування епітаксійних шарів монокремнію та галію арсеніду, які використовують для створення компонентів великих інтегральних мікросхем. Досліджено процеси низькотемпературної епітаксії та їхні моделі у процесі формування субмікронних структур BIC як на моно-Si так і на GaAs. Така технологія надає можливість формувати структури GaAs на Si-підкладках. Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Новосядлий С. П. Фізико-технологічні аспекти моделювання низькотемпературної епітаксії шаруватих структур кремнію та галію арсеніду / С. П. Новосядлий, А. І. Терлецький, О. Б. Фрик // Прикарпатський вісник НТШ. Число. - 2018. - № 1. - С. 63-79. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Pvntsh_ch_2018_1_10.Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |