Исследована возможность эффективной ионной очистки поверхности подложки-катода (ПК) в разряде планарного магнетрона. Показано, что использование соленоида, размещенного под катодом со структурой полого катода, позволяет получить планарное магнетронное распылительное устройство с зоной распыления, занимающей до 93 % поверхности дисковой части ПК. Полученные распределения плотности ионного тока вдоль поверхности катода имеют максимум как на дисковой (до 140 А/м<^>2), так и на боковой частях катода (до 70 А/м<^>2). Для дисковой части характерны быстрый рост распределения от центра ПК к максимуму, затем пологий спад. Для боковой части распределение относительно сглажено.

  Повний текст PDF - 398.272 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"