Розглянуто кожен з етапів взаємодії лазерного випромінювання з поверхнею поглинаючого середовища. Спочатку аналізуються процеси, що відбуваються всередині як електронної, так і фононної підсистем, потім імпульсне лазерне збудження та релаксація електронної підсистеми. Вважається, що внутрішньозонна релаксація по енергії в електронній підсистемі в режимі високого рівня збудження відбувається за час порядку часу електрон-електронної релаксації <$E tau sub e-e>. Внаслідок цього вся енергія лазерного імпульсу, що поглинається за час порядку <$E tau sub e-e>, залишається всередині плазмонної підсистеми напівпровідника і термолізується. Розподіл електронів та дірок по енергіях залишається тепловим та характеризується однаковими значеннями температур електронів (Te) та дірок (Th). При цьому Te = Th = Tc. Величина Tc залежить від концентрації nc і при nc = 10<^>21 см<^>-3 може досягати значень порядку 10<^>4 К.

  Повний текст PDF - 434.385 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"