Наукова періодика України | Фотоэлектроника | ||
Vaksman Yu. F. Study of the impurity photoconductivity and luminescence in ZnTe: v crystals / Yu. F. Vaksman, Yu. A. Nitsuk, A. V. Korenkova // Фотоэлектроника. - 2016. - № 25. - С. 20-25. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Photo_el_2016_25_5 Досліджено фотопровідність і фотолюмінесценцію кристалів ZnTe:V у видимій області спектра. Встановлено, що високотемпературна фотопровідність кристалів ZnTe:V обумовлена оптичними переходами електронів з основного стану 4T1(F) на більш високі збуджені енергетичні рівні іона V2+ з їх подальшою термічною активацією в зону провідності. Ефективне збудження внутрішньоцентрової люмінесценції кристалів ZnTe:V відбувається світлом з області домішкового поглинання іонів V2+. Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Vaksman Yu. F. Study of the impurity photoconductivity and luminescence in ZnTe: v crystals / Yu. F. Vaksman, Yu. A. Nitsuk, A. V. Korenkova // Фотоэлектроника. - 2016. - № 25. - С. 20-25. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Photo_el_2016_25_5. Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |