Iatsunskyi I. R. 
One and two-phonon raman scattering from nanostructured silicon / I. R. Iatsunskyi, G Nowaczyk, M. M. Pavlenko, V. V. Fedorenko, V. A. Smyntyna // Фотоэлектроника. - 2014. - № 23. - С. 44-53. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Photo_el_2014_23_7
Надано дослідження комбінаційного розсіяння (КРС) наноструктурованого кремнію, одержаного за допомогою методу хімічного неелектролітичного травлення. Надано інтерпретацію спостережуваних одно- та двофононних піків КРС. Виявлено, що піки КРС першого та другого порядку зміщуються і розширюються щодо піка об'ємного кремнію. Дане явище проаналізовано в межах фононного конфайнмента з урахуванням механічних напружень. Широкий пік ВРХ другого порядку в області 900 - 1100 см<^>-1 відповідає суперпозиції трьох поперечних оптичних фононів ~ 2TO (X), 2TO (W) і 2TO (L).
  Повний текст PDF - 279.798 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Iatsunskyi I.
  • Nowaczyk G.
  • Pavlenko M.
  • Fedorenko V.
  • Smyntyna V.

  • Бібліографічний опис для цитування:

    Iatsunskyi I. R. One and two-phonon raman scattering from nanostructured silicon / I. R. Iatsunskyi, G Nowaczyk, M. M. Pavlenko, V. V. Fedorenko, V. A. Smyntyna // Фотоэлектроника. - 2014. - № 23. - С. 44-53. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Photo_el_2014_23_7.

      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського