Досліджено структури на основі монокристалів ZnSe з напівпрозорим шаром хрому. Вольтамперні та вольтфарадні характеристики структур свідчать, що контакт Cr - ZnSe є запірним і близьким за своїми властивостями до бар'єра Шоттки. Розрахована рівноважна висота бар'єра складає 1,22 еВ. В структурах, зміщених у зворотньому напрямку, виявлено виникнення фоточутливості в короткохвильовій області спектра аж до довжини хвилі 230 нм. Це зумовлено погіршенням умов для рекомбінації фотозбуджених носіїв на центрах швидкої рекомбінації в сильному електричному полі у приповерхневому шарі зворотньо зміщеного контактного бар'єра. Розраховане з довгохвильової межі спектра фотоструму значення висоти контактного бар'єра 1,18 еВ добре узгоджується з результатами, одержаними з C - V характеристик.

  Повний текст PDF - 158.563 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"