Наукова періодика України Фотоэлектроника

Vikulin I. M. 
Bridge sensors based on field-effect transistors / I. M. Vikulin, Sh. D. Kurmashev, A. V. Veremyova // Фотоэлектроника. - 2014. - № 23. - С. 136-141. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Photo_el_2014_23_19
Розглянуто можливість використання польових транзисторів у мостових датчиках магнітного поля, температури та світла. Показано, що максимальна чутливість досягається в мостових схемах датчиків, де як всі чотири елементи в плечах моста використовуються польові транзистори, причому в однієї пари транзисторів струм збільшується зі зростанням вимірюваної величини, а в іншої - зменшується.
  Повний текст PDF - 244.368 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Vikulin I.
  • Kurmashev S.
  • Veremyova A.

    • Бібліографічний опис для цитування:

    Vikulin I. M. Bridge sensors based on field-effect transistors / I. M. Vikulin, Sh. D. Kurmashev, A. V. Veremyova // Фотоэлектроника. - 2014. - № 23. - С. 136-141. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Photo_el_2014_23_19.
      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського