Наукова періодика України | Фотоэлектроника | ||
Ptashchenko O. O. Effect of deep centers on the time-resolved surface current induced by ammonia molecules adsorption in GaAs p-n junctions / O. O. Ptashchenko, F. O. Ptashchenko, V. R. Gilmutdinova // Фотоэлектроника. - 2014. - № 23. - С. 107-111. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Photo_el_2014_23_14 Досліджено кінетику поверхневого струму в p - n структурах на основі GaAs після їх вміщення у концентровані вологі пари аміаку. Показано, що нахил виміряних часових залежностей струму є немонотонним. Дане явище пояснено за врахуванням наявності глибоких поверхневих рівнів, які заповнюються, коли квазірівень Фермі рухається в сторону зони провідності. Аналіз кінетики поверхневого струму в p - n структурах на основі GaAs у вологих парах аміаку надав можливість оцінити глибини деяких поверхневих рівнів. Глибини основних виявлених поверхневих рівнів складають 0,206, 0,185 і 0,176 еВ від c-зони. В інтервалі глибин 0,185 - 0,176 еВ виявлено додаткові поверхневі рівні, розподілені неперервно з практично постійною щільністю. Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Ptashchenko O. O. Effect of deep centers on the time-resolved surface current induced by ammonia molecules adsorption in GaAs p-n junctions / O. O. Ptashchenko, F. O. Ptashchenko, V. R. Gilmutdinova // Фотоэлектроника. - 2014. - № 23. - С. 107-111. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Photo_el_2014_23_14. Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |