Досліджено фотопровідність і фотолюмінесценцію кристалів ZnS:Ti у видимій області спектра. Встановлено схему оптичних переходів, що протікають у межах домішкових центрів Ti<^>2+. Показано, що високотемпературна фотопровідність кристалів ZnS:Ti зумовлена оптичними переходами електронів з основного стану <^>3A2(F) на більш високі збуджені енергетичні рівні іона Ti<^>2+ з їх подальшою термічною активацією в зону провідності. Ефективне збудження внутрішньоцентрової люмінесценції кристалів ZnS:Ti здійснюється світлом з області власного поглинання іонів Ti<^>2+.

  Повний текст PDF - 182.978 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"