Наукова періодика України Фотоэлектроника


Ptashchenko O. O. 
Tunnel surface current in GaAs p-n junctions induced by ammonia molecules adsorption / O. O. Ptashchenko, F. O. Ptashchenko, V. R. Gilmutdinova // Фотоэлектроника. - 2013. - № 22. - С. 38-42 . - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Photo_el_2013_22_8
The influence of ammonia vapors on I - V characteristics of forward and reverse currents and kinetics of surface currents in GaAs - AlGaAs p - n junctions with degenerated <$E p sup +> region was studied. It is shown that ammonia molecules adsorption, under sufficiently high NH3 partial pressure, forms in p-AlGaAs a surface conducting channel with degenerated electrons. P - n junctions with degenerated <$E p sup +> region have higher gas sensitivity at reverse bias than at forward bias. This effect is explained by tunnel injection of electrons into the conducting channel from the degenerated <$E p sup +> region at a reverse bias. The rise time of the surface current in an ammonia vapor atmosphere of ~ 20 s is due to filling up deep electron traps.The effect of a treatment in concentrated wet ammonia vapors on I - V characteristics of GaAs p - n junctions, measured in air and in ammonia vapors, was studied. Such a treatment strongly enhances the sensitivity of the surface current to the water- and ammonia vapors. In ammonia vapors of high enough partial pressure, a maximum in the forward branch of I - V characteristic appeared. The treated p - n junctions have higher gas sensitivity at reverse bias than at forward bias. This suggests that ammonia molecules adsorption, under sufficiently high NH3 partial pressure, forms in the p - n junction a surface conducting channel with degenerated electrons. And the observed maximum in the I - V characteristic is explained by tunnel injection of electrons from the conducting channel to the degenerated p<^>+ region.
  Повний текст PDF - 292.198 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Ptashchenko O.
  • Ptashchenko F.
  • Gilmutdinova V.

  • Бібліографічний опис для цитування:

    Ptashchenko O. O. Tunnel surface current in GaAs p-n junctions induced by ammonia molecules adsorption / O. O. Ptashchenko, F. O. Ptashchenko, V. R. Gilmutdinova // Фотоэлектроника. - 2013. - № 22. - С. 38-42 . - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Photo_el_2013_22_8.

      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського