Наукова періодика України | Фотоэлектроника | ||
Kondratenko P. A. Electron structure and relaxation processes in resazurin in a highly excited state / P. A. Kondratenko, Yu. M. Lopatkin, T. N. Sakun // Фотоэлектроника. - 2013. - № 22. - С. 117-123. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Photo_el_2013_22_21 It has been performed the theoretical studying the electron structure and relaxation processes in resazurin with using the quantum-chemical calculation methods (MNDO/d and AM1). It is shown that that the quantum transition So - S (<$E sigma sigma *>) is characterized by rather intense absorption band in contrast to the quantum transitions in S (<$E pi sigma *>) or S (<$E sigma pi *>) state, which corresponds to the oscillator strength close to 0. Dissociation of the C - O bond in the highly excited molecule of the resazurin occurs with high efficiency (no potential barrier in the triplet state). Calculations show that the absorption band that corresponds So - S (<$E sigma sigma *>) quantum transition is in the range from 292 to 317 nm, which is consistent with experimental data on the photochemical activity. Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Kondratenko P. A. Electron structure and relaxation processes in resazurin in a highly excited state / P. A. Kondratenko, Yu. M. Lopatkin, T. N. Sakun // Фотоэлектроника. - 2013. - № 22. - С. 117-123. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Photo_el_2013_22_21. Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |