Наукова періодика України Фотоэлектроника


Kondratenko P. A. 
Electron structure and relaxation processes in resazurin in a highly excited state / P. A. Kondratenko, Yu. M. Lopatkin, T. N. Sakun // Фотоэлектроника. - 2013. - № 22. - С. 117-123. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Photo_el_2013_22_21
It has been performed the theoretical studying the electron structure and relaxation processes in resazurin with using the quantum-chemical calculation methods (MNDO/d and AM1). It is shown that that the quantum transition So - S (<$E sigma sigma *>) is characterized by rather intense absorption band in contrast to the quantum transitions in S (<$E pi sigma *>) or S (<$E sigma pi *>) state, which corresponds to the oscillator strength close to 0. Dissociation of the C - O bond in the highly excited molecule of the resazurin occurs with high efficiency (no potential barrier in the triplet state). Calculations show that the absorption band that corresponds So - S (<$E sigma sigma *>) quantum transition is in the range from 292 to 317 nm, which is consistent with experimental data on the photochemical activity.
  Повний текст PDF - 343.879 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Kondratenko P.
  • Lopatkin Y.
  • Sakun T.

  • Бібліографічний опис для цитування:

    Kondratenko P. A. Electron structure and relaxation processes in resazurin in a highly excited state / P. A. Kondratenko, Yu. M. Lopatkin, T. N. Sakun // Фотоэлектроника. - 2013. - № 22. - С. 117-123. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Photo_el_2013_22_21.

      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського