Наукова періодика України Фотоэлектроника

Iatsunskyi I. R. 
Evolution of structural defects in silicon caused by high-temperature oxidation / I. R. Iatsunskyi // Фотоэлектроника. - 2012. - № 21. - С. 43-49. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Photo_el_2012_21_9
  Повний текст PDF - 625.521 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Iatsunskyi I.

    • Бібліографічний опис для цитування:

    Iatsunskyi I. R. Evolution of structural defects in silicon caused by high-temperature oxidation / I. R. Iatsunskyi // Фотоэлектроника. - 2012. - № 21. - С. 43-49. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Photo_el_2012_21_9.
      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського